電子束刻蝕系統產品及廠家
sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統，sentech多腔系統包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口。可以使用多達兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。
更新時間:2024-12-20
plasmapro 800系列是結構緊湊、且使用方便的直開式系統，該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（rie）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產別的批量以及300mm晶圓的工藝。
更新時間:2024-12-20
濕法腐蝕和濕法清洗在很早以就已在半導體生產上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優越的性能。硅片清洗也顯得尤為重要.濕法腐蝕是一種半導體生產中實現圖形轉移的工藝,由于其高產出,低成本,高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應用.
更新時間:2024-12-20
使用分辨率≤1.2m提供i-line功能適應具有10米聚焦深度的具有挑戰性的過程需求大限度地提高生產率，吞吐量超過75 wph用22 mm的場地尺寸增強與nsr步進器的混合和匹配提供出色的覆蓋性能支持背面對準0.8米
更新時間:2024-12-10
candela 8720高集成表面和光致發光(pl)缺陷檢測系統可捕捉各種關鍵的襯底和外延缺陷。利用統計過程控制(spc)方法實現自動化晶片檢測顯著降低了由于外延缺陷造成的產量損失，小化了金屬有機化學氣相沉積(mocvd)反應器工藝偏差，并增加了mocvd反應器的正常運行時間。
更新時間:2024-12-10
candela 8420是一種表面缺陷檢測系統，它使用多通道檢測和基于規則的缺陷寧濱來檢測不透明、半透明和透明晶圓上的顆粒和劃痕，如砷化鎵(gaas)、磷化銦(inp)、鉭酸鋰、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石和其他化合物半導體材料。8420表面缺陷檢測系統采用有的osa(光學表面分析儀)架構，可同時測量散射強度、形貌變化、表面反射率和相移，用于自動檢測和分類各種感興趣的缺陷(doi)。
更新時間:2024-12-10
全球業的沉積設備制造商，為各個域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延mbe、有機分子束沉積ombd、等離子增強化學氣相淀積系統pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。
更新時間:2024-12-10
全球業的沉積設備制造商，為各個域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延mbe、有機分子束沉積ombd、等離子增強化學氣相淀積系統pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。
更新時間:2024-12-10
德國總部直接采購heute清潔系統，原裝產品，貨期好，支持選型，為您提供對好的解決方案：赫爾納大連公司在中國設有10個辦事處，可為您提供好的維修服務。
更新時間:2024-11-06
1、微電腦液晶顯示屏，可在線實時監測ro水和up水水質2、采用一柱雙芯一體式純化柱，更換簡單，使用壽命長3、監控濾芯更換周期，中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進口陶氏反滲透膜和陶氏樹脂，保證產水水質進水要求
更新時間:2024-10-25
1、微電腦液晶顯示屏，可在線實時監測ro水和up水水質2、采用一柱雙芯一體式純化柱，更換簡單，使用壽命長3、監控濾芯更換周期，中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進口陶氏反滲透膜和陶氏樹脂，保證產水水質進水要求
更新時間:2024-10-25
該設備針對性地提煉與新能源汽車直接相關的電工、電子、數電、模電等方面的核心、必備知識要點，并通過從“基本原理”落地到“在新能源汽車上的具體應用”進行系統性、原理性教學，為學生建立理論基礎及其在新能源汽車領域的應用方法。設備涵蓋了典型的半導體元器件、基本放大電路、多級放大電路、集成運算放大器電路、脈沖波形產生變換電路、功率放大電路、組合邏輯電路、a/d和d/a轉換電路、汽車車前燈模塊等典型元器件與電
更新時間:2024-09-24
該單元應用于各職業院校、培訓機構的電工、電子維修排故訓練設備。 人機界面采用液晶顯示屏，操作簡單明了，具有很好的互交性。 控制芯片采用stc89c52，輸出部分采用臺灣產繼電器，所有元器件均經過嚴格測試。 電路設計優化合理，生產工藝嚴格完善，保證機器的可靠性和穩定性。 可設置更多個故障點（擴容后）。 故障編號可以隨意更改。 每個故障點都可以設置為開路或短路故障。 設置的參數在斷電后不會丟失。 輸出
更新時間:2024-09-24
r2p/r2r微納米結構壓印，納米壓印光刻機，紫外固化壓印機，紫外固化納米結構壓印機 uv固化納米壓印機，紫外固化納米結構壓印機 uv固化納米壓印機
更新時間:2024-09-15
在過去的幾年中，半導體器件和ic生產等微電子技術已發展到深亞微米階段及納米階段。為了追求晶片更高的運算速度與更高的效能，三十多年來，半導體產業遵循著摩爾定律（moore’s law）：每十八個月單一晶片上電晶體的數量倍增，持續地朝微小化努力。為繼續摩爾定律，在此期間，與微電子域相關的微/
更新時間:2024-09-14
量產用刻蝕設備ne-5700/ne-7800量產用刻蝕設備ne-5700/ne-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。
更新時間:2024-06-27
nre-4000是一款獨立式rie反應離子刻蝕系統，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關重要。
更新時間:2024-03-28
nre-3500（m）rie反應離子刻蝕機概述：獨立式rie反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關重要。
更新時間:2024-03-28
nre-3500（a）全自動rie反應離子刻蝕機概述：獨立式rie反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關重要。
更新時間:2024-03-28
nre-3000rie反應離子刻蝕機概述：獨立式rie反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關重要。
更新時間:2024-03-28
npc-4000（m）等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
npc-4000（a）全自動等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用
更新時間:2024-03-28
npc-3500（m）等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用
更新時間:2024-03-28
npc-3500（a）全自動等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
npc-3000等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
nano-master的離子束刻蝕系統具有很強的適應性，可根據不同的應用而按不同的配置進行建構。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應用。用于離子束系統（或稱離子銑系統）的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉、水冷和背氦冷卻。 nano-master技術已經展示了可以把基片文庫保持在50°c以內的能力。通過傾斜和旋轉，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對側壁輪廓和徑向均勻度的控制。
更新時間:2024-03-28
nie-4000（a）全自動ibe離子束刻蝕產品概述：如銅和金等金屬不含揮發性化合物，這些金屬的刻蝕無法在rie系統中完成。然而通過加速的ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時間:2024-03-28
nie-4000（r）ribe反應離子束刻蝕產品概述：如銅和金等金屬不含揮發性化合物，這些金屬的刻蝕無法在rie系統中完成。然而通過加速的ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時間:2024-03-28
nie-3500（m）ibe離子束刻蝕產品概述：該系統為計算機全自動實現工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統，具有結構緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優勢。所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
nie-3500（a）全自動ibe離子束刻蝕產品概述：該系統為全自動上下載片，并且通過計算機全自動實現工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統，系統具有結構緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優勢。該系統所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
nie-3000ibe離子束刻蝕產品概述：該系統為手動放片取片，但通過計算機全自動實現工藝控制的臺式離子束刻蝕系統，系統具有結構緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優勢。該系統所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
nre-4000（icpa）全自動icp刻蝕系統概述：自動上下載片，是帶icp等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統，具有高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕能力。可實現范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時間:2024-03-28
ndr-4000（a）全自動drie深反應離子刻蝕概述：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8" icp源。系統可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時間:2024-03-28
ndr-4000（m）drie深反應離子刻蝕概述：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8" icp源。系統可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時間:2024-03-28
nre-4000（icpm）icp刻蝕系統概述：是帶icp等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統，系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時間:2024-03-28
nre-4000是一款獨立式rie反應離子刻蝕系統，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統系統可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調諧器提供。系統將持續監控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關重要。
更新時間:2024-03-28
fei vion plasma 聚焦離子束系統(fib)能使您的實驗室實力大增，因為只需這一臺使用簡便的設備便可獲得yi流的光刻和成像性能。采用等離子源技術的 vion pfib 擁有比傳統鎵 fib
更新時間:2024-03-15
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